李天信 研究员
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中国科学院上海技术物理研究所
导师介绍：
从事微纳光电物理与器件研究。作为负责人承担科技部重点研发计划、中国科学院先导专项、国家自然科学基金等重点/重大课题6项。
发展了针对半导体光电功能结构纳米尺电子特性的分析技术，其中在极限分辨率、信噪比等主要指标达到或优于国际同类报道的最好水平，已申请国家发明专利8项，授权5项。实验技术支持了我国空间载荷用IGA短波红外、量子阱长波红外探测器的研制，并在雪崩光子探测器、量子级联红外器件的研制和集成电路关键材料工艺的研发中得到应用。
在新型低维结构光电特性的研究中，发现II类原子层材料中的电子-空穴分离，提出单量子点室温亚稳态隧穿、纳米线少子寿命表面弛豫等新机制，部分机制在光电原型器件中得到采用和验证。
研究方向：
1）电子特性高分辨表征技术 [E-SPM和SNoiM]。
内容：纳米尺度上获取电子/光电材料与芯片中与性能直接相关的载流子、电场/电势、热电子行为等分布特征；更高分辨的电学定量表征技术。
目的：半导体材料与器件的工艺评估、失效分析、结构设计。
2）半导体低维结构中的光电物理 [原子层二维结构、半导体纳米线、量子点]。
内容：低维结构中的量子态及输运行为、光子-电子之间信息和能量交换的新颖现象及机制。
目的：对电子、光电技术具有变革性价值的原理机制。
3）新结构新原理光电器件 [红外探测、光伏器件]。
内容：以量子效应的电子结构、深亚波长的光子结构为核心的新型器件。
目的：在灵敏度、效率等核心能力上突破传统材料和原理极限的器件效应，如高灵敏度的室温红外成像探测技术等。
教育背景：
2000年博士毕业于南京大学凝聚态物理专业
1997年硕士毕业于中国原子能科学研究院
1994年本科毕业于南京大学物理系
工作经历：
2012年12月-至今 中国科学院上海技术物理研究所 研究员
2011年06月-2011年12月悉尼大学ACMM（澳大利亚显微分析中心）访问学者
2006年06月-2012年11月中国科学院上海技术物理研究所 副研究员
2003年03月-2006年06月中国科学院上海技术物理研究所博士后
2000年11月-2002年12月日本筑波大学非常勤研究员
科研成果及获奖情况：
在Science Advances, Nature Comm.,ACS Nano, Small等国际学术刊物发表论文35篇，获得授权专利5项。
近五年代表性论文：
1.Direct observation and manipulation of hot electrons at room temperature
H.L.Wang, F.Wang, H.Xia，P.Wang,T.X.Li, J.Z.Li, Z.Wang, J.M.Sun, P.S.Wu, J.F.Ye, Q.D.Zhuang, Z.X.Yang, L.Fu, W.D.Hu, X.S.Chen, W.Lu
National Science Review,https://doi.org/10.1093/nsr/nwaa295
2.Mid-infrared polarization-controlled broadband achromatic metadevice
K. Ou, F. Yu, G. Li, WJWang, A. M., LJHuang, P.Wang,TXLi, ZFLi, XSChen, W.Lu
Science Advances. 2020, 6, eabc0711
3.Sensing Infrared Photons at Room Temperature: From Bulk Materials to Atomic Layers
P.Wang, H.Xia, Q.Li, F.Wang,* L.L.Zhang,T.X.Li,*P.M., A.Rogalski, and WDHu*
Small 2019, vol.19, 1904396.
4.High efficiency focusing vortex generation and detection with polarization-insensitive dielectric metasurfaces
K.Ou, GHLi*,TXLi, H.Yang, FLYu, J.Chen,ZYZhao, GTCao
Nanoscale, 2018, Vol. 10, 19154-19161
5.Oriented Graphene Nano-ribbon Embedded in Hexagonal Boron Nitride Trenches
LXChen，L.He，HSWang，SJTang，CXCong，H.Xie，Lei Li，H.Xia，TXLi，TRWu, DLZhang, LWDeng, T.Yu, XMXie & MHJiang
Nature Communications, 2017, 8:14703
6.Nanoscale imaging of the photoresponse in PN junctions of InGaAs infrared detector
Hui Xia,Tian-xin Li*, Heng-Jing Tang, Liang Zhu, Xue Li, Hai-Mei Gong & Wei Lu*
Scientific Reports, 2016, 6, 21544.
7.Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures
KNZhang, TNZhang, GHCheng,TXLi,et al.
ACS Nano. 2016 Mar 22;10(3):3852-8
