陈建新 研究员

邮箱：jianxinchen@mail.sitp.ac.cn

中国科学院上海技术物理研究所

导师介绍：

在半导体电子和光电子领域，如量子级联激光器、量子阱激光器、异质结晶体管、高电子迁移率晶体管等方面有长期的研究积累。目前主要从事InAs/GaSb II类超晶格红外探测器及新型红外光电器件研究，包括材料与器件结构设计、外延生长、器件制备及性能表征。在国际期刊发表论文60多篇，引用600多次。获国家科技进步三等奖一项以及中国科学院和上海市科技进步奖多项。

招收有志于从事量子光电材料与器件研究的同学。

研究方向：

半导体电子、光电子领域，如量子级联激光器、量子阱激光器、异质结晶体管、高电子迁移率晶体管等

教育背景：

1995年博士毕业于中科院上海微系统与信息技术研究所半导体物理与器件物理专业

1990年本科毕业于浙江大学

工作经历：

2009年10月-至今中国科学院上海技术物理研究所研究员

2007年05月-2009年09月美国普林斯顿大学电子工程系研究员

2001年11月-2007年04月 美国朗讯贝尔实验室半导体研究部研究员

2000年07月-2001年10月瑞士联邦工学院研究员

1995年07月-2000年06月中科院上海微系统与信息技术研究所副研究员

科研成果及获奖情况：

在国际期刊发表论文60多篇，引用600多次。获国家科技进步三等奖一项以及中国科学院和上海市科技进步奖多项

近五年代表性论文：

1、Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High Temperature Sensitivity，JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY，2020

2、InAs/GaAsSb Type-II Superlattice LWIR Focal Plane Arrays Detectors Grown on InAs Substrates，IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS，2020

3、Higher performance long wavelength interband cascade photodetector compared with a PB pi BN device，APPLIED PHYSICS LETTERS，2020

4、InAs/GaSb Superlattice interband cascade light emitting diodes with high output power and high wall-plug efficiency，APPLIED PHYSICS LETTER， 2019

5、Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors， APPLIED PHYSICS LETTER，2019