任开琳 副教授

邮箱：renkailin@shu.edu.cn

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办公室：星空体育官网C楼-406

导师介绍：

副教授，博士生导师，从事宽禁带半导体功率器件（仿真、模型、制造、可靠性），功率集成电路，集成电路先进节点器件（仿真、模型）等领域的研究，近五年在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、JAP等微电子领域权威期刊上发表SCI论文二十余篇，在国际会议上报告研究成果5次。

主持国家自然科学基金青年项目一项，主持上海市自然科学基金面上项目一项，参与了上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目、新加坡教育部创新研究基金等多个纵向项目及海外企业横向项目。2021年12月入选上海市海外高层次人才引进计划。

招收集成电路、微固、电子信息、应用物理等相关专业背景的硕士、博士研究生。

讲授课程：本科《信号与系统基础》、《功率半导体器件基础》、《半导体器件建模原理与实践》；研究生《集成电路器件物理》。

获第五届~第八届全国大学生集成电路创新创业大赛优秀指导教师奖，上海大学第五届、第六届本科生学术论坛优秀指导教师奖。多次指导团队获全国大学生集成电路创新创业大赛全国总决赛二、三等奖。获评上海大学2022-2023学年优秀本科生全程导师、2023年度上海大学青年五四奖章。

研究方向：

（1）宽禁带半导体功率器件（仿真、模型、制造、可靠性）

（2）功率集成电路（设计、制造）

（3）集成电路先进节点器件（GAAFET/CFET,仿真、模型）

（4）Micro-LED微显示器件及其驱动集成

教育背景：

2021年2月，博士毕业于新加坡国立大学电子与计算机工程系，微电子学专业

2015年7月，本科毕业于哈尔滨工业大学英才学院，电气工程及其自动化专业

工作经历：

2024年6月-至今 上海星空体育官网副教授,博士生导师

2021年12月-至今 上海星空体育官网副教授,硕士生导师，担任2023级微电子科学与工程专业1班班导师

2021年4月-2021年11月 上海星空体育官网讲师，硕士生导师，担任2020级微电子科学与工程专业1班班导师

主持项目：

国家自然科学基金青年项目《外延一体化的氮化镓基HEMT与微LED单片集成器件研究》，2023.01-2025.12

上海市自然科学基金面上项目《面向高速功率集成电路的新型P沟道氮化镓基晶体管研究》，2023.04-2026.03

近五年一作/通讯代表性成果：

Kaiyuan Zhao,..., Kailin Ren*, “P-GaN/AlGaN/GaN Fin-HEMT with High Saturation Current and Enhanced VTH stability”, IEEE Electron Device Letters, early access, 2024.(通讯作者)

Kailin Ren et al., "A Novel AlGaN/GaN Lateral Bipolar Junction Transistor Exploiting Polarization Effects", IEEE Transactions on Electron Devices, 71(3): 1441-1447, 2024.

Meng Gao,...,Kailin Ren*, “A novel field-plated lateral β-Ga2O3 MOSFET featuring self-aligned vertical gate structure”, IEEE Transactions on Electron Devices,70 (8): 4309-4314, 2023.(通讯作者)

Kailin Ren et al., “Compact Physical Models for AlGaN/GaN MIS-FinFET on Threshold Voltage and Saturation Current,” IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (4): 1348-1354, 2018.

Kailin Ren et al.,  “Physical Mechanism on the Suppression of Dynamic Resistance Degradation by Multi-Mesa-Channel in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,” Applied Physics Letters, 115: 262101-1-262101-5, 2019.

Yan Zhang(本科生一作),...,Kailin Ren*,“A Novel Design of Hysteretic Comparator Circuit towards GaN-based Power IC”, Microelectronics Journal, 151:106339, 2024.(通讯作者)

Zhuang Wu,...,Kailin Ren*, “Physical Mechanisms on the Size-effect in GaN-based Micro-LEDs”, Micro and Nanostructures, 177, 207542, 2023.(通讯作者)

Luqiao Yin,...,Kailin Ren*, "Real-Time Channel Temperature Monitoring of p-GaN HEMTs based on Gate Leakage Current", Microelectronics Journal, 145: 106121, 2024.(通讯作者)

Yue Liu, Kailin Ren (共一) “Electrostatic force evolution during the tip induced ferroelectric domain switching,” Journal of Applied Physics, 130, 194101, 2021.

Kailin Ren et al., “Physical mechanism of fin-gate AlGaN/GaN MIS-HEMT: Vth model,” Proceedings of 2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 319-323, 2016.

Kailin Ren et al.,  “Modelling of Trap Mechanism in AlGaN/GaN Fin-HEMT Current Collapse,” 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2019.

Yuan An,...,Kailin Ren*, “A novel Monolithically Integrated structure of GaN-based Micro-LED and its driver HEMT,”7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors &The 18th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2021), 2021.(通讯作者)

专利：

《全包围栅极场效应晶体管及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：2024110910882

《一种半导体静态存储器及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：2024113885420

 《一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：2023108681791

《一种改进的高电子迁移率发光晶体管》（第一发明人），申请号/专利号：202111331707.7

《一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202210219208.7

《一种柔性显示集成器件及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310064065.1

《一种全双工可见光通信系统及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310063928.3

《一种C字形阳极Micro-LED器件及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310086837.1

往届毕业生就业去向：